关肥科学岛团队研发玻璃金属穿孔本领 可利用于下一代5G、6G高频芯片3D封装

　　据安徽日报报道 近期，中科院闭肥磋商院智能所陈池来课题组李山博士等赢得垂危手段冲破，团队占据了高均一性玻璃微孔阵列创立、玻璃精致回流、玻璃微孔金属高过细填补等才干速苦，生长了一种面向3D先进封装的玻璃金属穿孔工艺，可告竣高频芯片、进步MEMS传感器的低传输消耗、高真空晶圆级封装。

　　频年来，芯片与电子产品中高机能、高真实性、高密度集成的猛烈必要催生了3D封装技术并使其成为集成电路发展的紧要煽动力气之一。古代的平面化2D封装依然无法顺心高密度、轻量化、小型化的猛烈须要。玻璃金属穿孔(TGV)是一种应用于圆片级真空封装界限的新兴纵向互连身手，为告终芯片-芯片之间阻隔最短、间距最小的互联提供了一种新型才华路径，具有卓绝的电学、热学、力学本能，在射频芯片、高端MEMS传感器、高密度体例集成等领域具有独特优势，是下一代5G、6G高频芯片3D封装的首选之一。

　　为此，团队针对玻璃金属穿孔现有工艺题目，纠集中科院关肥接头院和中国科学才力大学微纳接洽与成立主题的前期商酌根柢及平台优势，提出一种新型玻璃金属穿孔晶圆创立方针，开发出了高均一性、高细腻、高尚宽比的玻璃金属穿孔晶圆，具有超低漏率、超低暗号花消的优势，满意环形谐振器、波导闲暇天线G高频芯片，以及新型MEMS陀螺仪、加速度计3D封装需求。经检测，团队研制出的玻璃金属穿孔晶圆各项重要参数均与国际顶级玻璃厂商肖特、康宁和泰库尼想科等分外，片面参数优于国际水准，在半导体芯片3D先进封装、射频芯片封装、MEMS传感器封装，以及新型MEMS传感器（MEMS质谱、MEMS迁移谱）贪图创办、新型玻璃基微流控芯片创造等多个规模具有盛大使用前景。

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